• 原材料: T2/C1100
• 结构: Hat (dimple)；Forged；Stiffener Ring
• 成型工艺:冲压/CNC
• 平面度: <0.05
• 粗糙度:外观面Ra0.2-0.6；粘接面Ra2.0以上
• 性能参数: 热导率401(W/mK)25℃，线膨胀系数17.7(CTEppm/℃)，密度9.0(g/cm³)
• 镀层处理: 化学镀镍/电镀镍、镀层厚度2-10μm
• 盐雾时间: 48hrs
• 高温考核:270℃30min
• 应用封装:用于个人计算机的和服务器的CPU封装，汽车设备的SOC/FPGA封装，通信设备的处理器封装，游戏系统处理器和图像处理器以及人工智能处理器等封装
• 材料特性:热导率高、价格便宜、成型容易，可做多种结构设计，可大批量生产